09:30 〜 11:30 [11a-PB4-14] 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動 〇石川 由加里1,2、須藤 正喜2、菅原 義弘1、姚 永昭1、加藤 正史2、三好 実人2、江川 孝志2 (1.JFCC、2.名工大)