高田賢志

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発表者・著者、共著者

2019年3月11日(月) 13:00 〜 17:00 W351 (W351)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.1 強誘電体薄膜

[11p-W351-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

16:45 〜 17:00

△ [11p-W351-14] 強誘電体/半導体ヘテロ接合における負性容量の発現機構とその時間発展シミュレーション

〇高田賢志¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 W631 (W631)

一般セッション(口頭講演)
| コードシェアセッション
| 【CS.5】6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[10p-W631-1~12] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

13:45 〜 14:00

[10p-W631-1] HfO₂基強誘電体スパッタ薄膜の成長時の酸素分圧が結晶成長・結晶構造に与える影響

〇高田賢志¹、佐保勇樹¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)