16:15 〜 16:30 [11p-70A-13] 高濃度窒素ドープ4H-SiC基板上のエピタキシャル層に通電によって拡張した積層欠陥の構造評価 〇寺西 秀明1、斎藤 明1、林 真吾1、宮里 真樹1、宮島 将昭1 (1.富士電機)