12:15 〜 12:30 [9a-M121-11] 横型ショットキーダイオード構造のC-V測定による低ドープn型GaNの実効ドナー密度の評価の精度に関する検討 〇(B)六野 祥平1、坂尾 佳祐2、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)