16:45 〜 17:00 △ [9p-S221-12] Ge基板の平坦化RTAを用いたin-situ Ge MOS構造の作製 〇(B)石井 寛仁1,2、石井 裕之2、張 文馨2、森田 行則2、遠藤 聡1、藤代 博記1、前田 辰郎1,2 (1.東理大、2.産総研)