11:30 〜 11:45 △ [9a-M121-8] 再成長AlGaNによるAl2O3/AlGaN/GaN構造の絶縁膜/半導体界面特性の向上 〇(M1C)河端 晋作1、アスバル ジョエル1、徳田 博邦1、山本 暠勇1、葛原 正明1 (1.福井大院工)