14:45 〜 15:00 △ [10p-S222-5] 窒素添加LaB6界面制御層によるしきい値電圧制御型ペンタセンPseudo-CMOSの低電圧動作 〇(D)前田 康貴1、朴 鏡恩1、小松 勇貴1、大見 俊一郎1 (1.東工大工学院)