一般セッション(口頭講演)
21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
2019年3月9日(土) 13:45 〜 17:15 S011 (南講義棟)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:45 〜 14:00
〇曲 勇作1、濵田 賢一朗1、増田 健太郎1、古田 守1,2 (1.高知工大、2.高知工大総研)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇中山 智則1、高橋 正弘1、金川 朋賢1、生内 俊光1、岡崎 健一1、山﨑 舜平1 (1.半エネ研)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇生内 俊光1、保坂 泰靖1、岡崎 健一1、山﨑 舜平1 (1.半エネ研)
スケジュール
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14:30 〜 14:45
〇柳澤 利樹1、染谷 優太1、清水 耕作1 (1.日本大学 生産工)
スケジュール
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14:45 〜 15:00
〇中込 真二1、安田 隆1、國分 義弘1 (1.石巻専修大理工)
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇嶋 紘平1、小島 一信1、秩父 重英1 (1.東北大多元研)
スケジュール
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15:15 〜 15:30
〇Thant Zin Win1、Takumi Furukawa1、Yudai Tanaka1、Koshi Okita1、Koji Sue2、Zenji Yatabe1,3、Yusui Nakamura1,4,5 (1.GSST, Kumamoto Univ.、2.Fac. of Eng., Kumamoto Univ.、3.POIE, Kumamoto Univ.、4.FAST, Kumamoto Univ.、5.Kumamoto Phoenics)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇馬場 晴之1、水上 翔太1、津田 一樹1、越田 樹1、山﨑 舜平1 (1.半エネ研)
スケジュール
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16:00 〜 16:15
〇(P)ANUPKUMAR VINODRAY SANCHELA1、Mian Wei2、Hai Jun Cho1,2、Hiromichi Ohta1,2 (1.RIES-Hokkaido Univ.、2.IST-Hokkaido Univ.)
スケジュール
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16:15 〜 16:30
〇中居 克彦1、野網 健悟1、二木 登史郎1、大葉 悦子2、干川 圭吾3 (1.日鉄住金テクノロジー、2.不二越機械工業、3.信州大学)
スケジュール
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16:30 〜 16:45
〇桝谷 聡士1、佐々木 公平2,3、倉又 朗人2,3、小林 拓実4、干川 圭吾5、上田 修6、嘉数 誠1 (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.タムラ製作所、4.不二越機械工業、5.信州大、6.金沢工大)
スケジュール
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16:45 〜 17:00
〇嘉数 誠1、片桐 英鉄1、佐々木 公平2、川崎 克己3、平林 潤3、山腰 茂伸4、倉又 朗人2 (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK、4.タムラ製作所)
スケジュール
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17:00 〜 17:15
〇古林 寛1、山本 哲也1 (1.高知工科大総研)
スケジュール
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