一般セッション(口頭講演)

[11a-S321-1~5] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2019年3月11日(月) 09:00 〜 10:15 S321 (S321)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[11a-S321-1] MOD法による導電性中間層に適するLaMO₃酸化物薄膜の作製と物性

〇元木貴則¹、池田周平¹、権藤紳吉¹、中村新一²、本田元気³、永石竜起³、土井俊哉⁴、下山淳一¹ (1.青学大理工、2.TEP、3.住友電工、4.京大院エネ科)

09:15 〜 09:30

〇一野祐亮¹、伊東佑馬¹、三浦正志²、土屋雄司¹、吉田隆¹ (1.名大工、2.成蹊大)

09:30 〜 09:45

〇伊東智寛¹、土屋雄司¹、一野祐亮¹、吉田隆¹ (1.名大院工)

09:45 〜 10:00

〇一瀬中¹、土屋清澄²、菊池章弘³、小黒英俊⁴ (1.電中研、2.高エネ研、3.物材研、4.東海大工)

10:00 〜 10:15

〇武田泰明¹、元木貴則²、中村新一³、中島隆芳⁴、小林慎一⁴、加藤武志⁴、下山淳一² (1.東大院工、2.青学大理工、3.TEP、4.住友電工)