[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-7] CO₂アニールによる4H-SiC(0001) MOSデバイスの特性改善

〇細井 卓治¹、大迫 桃恵¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大工)

キーワード：SiC、CO2、MOS

ドライO₂酸化で形成したSiO₂/4H-SiC(0001)構造に対するCO₂アニールの効果を検証した。1400°C以下の温度でSiO₂増膜がないことを確認した。またCO₂アニールはヒステリシス低減や移動度向上の効果があることがわかった。