[10a-70A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10a-70A-9] SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果

福永 玲依¹、斎藤 兼三¹、新町 絋司¹、井上 裕稀¹、大串 直輝¹、〇村上 英一¹ (1.九産大工)

キーワード：SiC-MOSFET

市販のSiC-MOSFETに対し、100 kHz AC-PBTI試験を行いduty比(d)依存性を取得した。Vgs(OFF)=０Vでは、AC動作によるしきい電圧シフトの抑制効果は十分ではないが、-5Vとすることでd≦0.8で顕著に抑制できることを確認した。さらに、1 kHz AC-TDDB試験を行い、Vgs(OFF)=-5Vとすることでd=0.5において実時間で５倍の寿命向上を新たに見出した。