[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-M114-10] スパッタSi薄膜のµCLBS法による単結晶帯形成

〇小柳 樹¹、白川 俊樹¹、平末 充紀¹、葉 文昌¹ (1.島根大総合理工)

キーワード：スパッタ法、レーザーアニール、Si薄膜

スパッタ法でSi膜を堆積し、μCLBA法でラテラル成長を実現した。それを用いてTFTを作成し、特性を調べた。