[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-M114-4] 短時間照射FLAによるPoly-Siの高活性化技術

〇繁桝 翔伍¹、谷村 英昭¹、布施 和彦¹、青山 敬幸¹、加藤 慎一¹、野崎 仁秀¹ (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)

キーワード：FLA、Poly-Si、高活性化

Poly-Siゲート電極のトランジスタは安価に作製できることから、近年IoTに使うデバイスとして再注目されている。そのため、デバイスの性能を決定するPoly-Siの空乏化の抑制、すなわち不純物の高活性化は極めて重要である。今回、新しく開発した短時間照射Flash Lamp Annealing（FLA）によるPoly-Siの高活性化技術について報告する。