[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-M114-6] 一括ELAによるパネル上a-Si薄膜の結晶化

〇野口 隆¹、中面 僚介¹、伊敷 優哉¹、岡田 竜弥¹、ヒュエット カリム² (1.琉球大学工学部、2.スクリーンセミコンダクタソリューション)

キーワード：エキシマレーザ結晶化、シリコン薄膜、一括ELA

TFTを高いスループットでつくることが求められる。ガラス上のa-Si膜を高移動度にするため、ELA法が有効で、最近はフレキシブルなシート上にも高性能TFTが求められている。現在のELA法は、短いパルス幅（20-30ns）をもつライン状のUV光ビームが用いられているが、パルス走査時、（短軸端による）Si膜面上の不均一性が課題である。長いパルス幅(150-200ns)で大出力のELAによる小型パネルへの結晶化では一括ELAが期待され、Si薄膜結晶化の可能性を検討した。