[10a-M114-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10a-M114-8] CWレーザー結晶化Si薄膜における変形双晶のSchmid因子計算

〇佐々木 伸夫^1,2、Arif Muhammad²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：レーザー結晶化、cw レーザー、転位

CW レーザーラテラル結晶化(CLC) Si 薄膜では、高パワー域で変形双晶の発生が見られる。変形双晶を引き起こすせん断応力の大きさを決めるSchmid因子の計算を、薄膜結晶が、スキャン方向に対して(100)および(110)面に配向して、成長した場合について計算した。成長時における膜内回転が抑制されると、変形双晶の発生も抑制されることが明らかとなった。