[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-M121-1] Observation of a pn junction of Gallium Nitride with Kelvin Probe Force Microscopy

〇(PC)Tomonori Nakakamura¹, Nobuyuki Ishida¹, Keisuke Sagisaka¹ (1.NIMS)

Keywords:Gallium Nitride

窒化ガリウム(GaN)は大きなバンドギャップ(3.4 eV)、高い絶縁破壊電界(~3.5 MV/cm)、飽和電子速度(~2.5×10⁷ cm/s)[3]をもつ半導体であり、省電力パワーデバイスの新素材として注目されている。 HVPE GaN基板(n型)上に成長させたエピ膜にMgを添加することでpn接合を形成することが可能である。我々は添加するMgの濃度を~10¹⁷, 10¹⁸, 10¹⁹cm-³に変化させたMg doped p-GaN/ unintentionally doped GaN/n-GaNの積層構造についてKelvin Probe Force Microscopy (KPFM)を用いてポテンシャル分布イメージングを行った。