[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-M121-2] Threading dislocation density dependence of GaN p-n diodes with deeply etched mesa structure

〇Shigeyoshi Usami¹, Atsushi Tanaka^2,3, Hayata Fukushima¹, Yuto Ando¹, Manato Deki², Shugo Nitta², Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4,5 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, 3.NIMS, 4.ARC, 5.VBL)

Keywords:Basic ammonothermal, Break down electric field, p-n diodes

本講演では塩基性アモノサーマル基板上とHVPE基板上に作製した深堀メサ型pnダイオードを用いて絶縁破壊電界の転位密度依存性について報告する。