[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-M121-7] Electrochemical properties on GaN electrode in S₂O₈^2- contaning electrolytes

〇Masachika Toguchi¹, Kazuki Miwa¹, Fumimasa Horikiri², Noboru Fukuhara², Yoshinobu Narita², Takehiro Yoshida², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.SCIOCS Co. Ltd.)

Keywords:semiconductor, electrochemical

半導体のウェットエッチングでは、適切な酸化剤の選択とベース溶液（酸・アルカリ）の混合比が、エッチング速度や平坦性に大きな影響を与える。ペルオキソ二硫酸イオンは、過酸化水素と比べてより強い酸化剤として作用し、窒化ガリウム (GaN) に対してもその有効性が報告されている。この系において、ペルオキソ二硫酸イオンの還元あるいは光励起（λ<310nm）により生成する硫酸イオンラジカルは、GaN表面の直接酸化に利用されることもあり、その濃度制御は重要である。本研究では、GaNのウェットエッチングにおけるペルオキソ二硫酸イオンと硫酸イオンラジカルの働きを明らかにすることを目的とし、GaN電極の電気化学特性を調査した。