[10a-M121-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[10a-M121-8] Photo-electrochemical (PEC) etching on AlGaInN/AlGaN heterostructures

〇Yuto Komatsu¹, Keisuke Uemura¹, Daiki Hosomi², Makoto Miyoshi², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ., 2.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:electrochemical etching, AlGaInN/AlGaN heterostructures

AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス化は，閾値電圧の制御やノーマリーオフ動作の実現に有望な手法の１つである．我々は，光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)反応を利用したAlGaNバリア層の精密エッチング法を開発し，本手法が，AlGaN/GaN-HFETのノーマリオフ化，ゲートリーク電流の低減，相互コンダクタンスの向上に有効であることを示した．今回は，PECプロセスをAlGaInN/AlGaN-HFETのゲートリセス加工に適用することを目的とし，AlGaInNバリア層と電解液界面の電気化学特性とPECエッチング特性を調査した。