The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[10a-PB2-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Sun. Mar 10, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB2 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[10a-PB2-1] Measurement of carrier concentration in n-type Mg2Si crystals by C-V method

〇(B)Takeru Miyauchi1, Daisuke Niioka1, Fumiya Takahashi1, Haruhiko Udono1, Eiichiro Watanabe2, Daiju Tsuya2 (1.Ibaraki Univ., 2.NIMS)

Keywords:Magnesium silicide

各種方法でn-Mg2Si結晶に絶縁膜をつけMIS構造のCV測定によってMg2Si基板のキャリア濃度測定を行なった。
その結果、スパッタ成膜したSiO2のMIS構造でキャリア濃度を同定した。