[10a-PB2-1~18] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[10a-PB2-11] Sb添加β-FeSi₂エピタキシャル膜におけるドナー活性化条件の最適化(II)

〇(M2)江口 元¹、阿部 光希¹、木下 涼太¹、村上 智樹¹、寺井 慶和¹ (1.九工大情報工)

キーワード：β-FeSi2、半導体、Sbドープ