The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[10a-PB2-1~18] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Sun. Mar 10, 2019 9:30 AM - 11:30 AM PB2 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[10a-PB2-3] Observation of crystal defects in Mg2Si melt grown crystals by wet-etching

Ryohei Masubuchi1, Yutaro Fuse1, Haruhiko Udono1 (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Mg2Si

ウエットエッチングによってMg2Siの結晶欠陥を観察した。評価結晶はアルミナルツボ用いて成長したn型のMg2Si結晶を用いた。エッチングによってピットや線状のエッチングパターンが見られた。ピットについては転移や析出物との関係が示唆される。線状パターンは粒界を示している。