The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

21 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[10a-S011-1~8] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 11:15 AM S011 (South Lecture Bldg.)

Tomoki Abe(Tottori Univ.)

9:00 AM - 9:15 AM

[10a-S011-1] Stimulated emission in ZnO derived from hot excitons

Ryosuke Matsuzaki1, Shusuke Fujii1, Takuya Tsujimura1, Yutaka Adachi2, 〇Takashi Uchino1 (1.Kobe Univ, 2.NIMS)

Keywords:ZnO, exciton, stimulated emission

ZnOは,60 meVという高い励起子結合エネルギーを有することから,これまで ZnOの励起子発光,ならびに誘導放出現象に関する数多くの研究がなされてきた。我々は,2017年にマイクロメートルオーダーのZnO薄膜や微粒子が,電子正孔プラズマ発光を含まない,純粋な励起子誘導放出を示すことを報告した。本発表では,マイクロメートルオーダーのZnO薄膜が,150 K以下の低温域で, hot excitonに由来すると思われる誘導放出現象を示すことを見出したので,その結果について報告する。