[10a-S221-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[10a-S221-4] Characterization of a cryogenic amplifier for higher bandwidth measurement of silicon quantum dots

〇Shimpei Nishiyama¹, Mizuki Kobayashi¹, Raisei Mizokuchi¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Institute of Technology)

Keywords:silicon, quantum dot, integration

シリコン量子ドットは、従来の半導体デバイス製造技術との整合性が高く、かつ長いコヒーレンス時間を保持することができ、将来有望な量子情報デバイスへの応用が期待されている。コヒーレンス時間内でデバイスの量子状態の読み出しや操作を行うために、高帯域での測定が求められている。
そのため、本研究では高帯域測定に向けて極低温アンプの作製及び評価を行った。その結果、極低温アンプによって帯域幅が約10倍になったことを確認した。