[10a-S224-1~8] 7.5 イオンビーム一般

[10a-S224-4] ビームプラズマが低エネルギーイオンビームの発散角へ与える影響

〇早川 太朗¹、永尾 友一¹、井内 裕¹、三上 隆司¹ (1.日新イオン)

キーワード：イオンビーム、エッチング、プラズマ

イオンビームエッチング(IBE)は、希ガスのイオンビームを用いて物理的スパッタでエッチングする手法である。ハロゲン化物による化学エッチングを伴わないので、材料への化学的ダメージが無いことから、磁性体メモリー（MRAM）の加工などに使われている。これら微細なデバイスの加工には低エネルギーかつ大電流のビームが必要であるが、さらにビームの発散角度分布が狭いことも求められる。
一般に、IBE装置は、素子のチャージアップによる破損を防ぐために、電荷中和用低温プラズマによる電子源(PFC)を搭載している。本研究では、このPFCの条件によってビームの発散角が変化することを見出し、発散角に影響するプラズマパラメータを調べた。