[10a-W241-1~7] 8.3 プラズマナノテクノロジー

△ [10a-W241-6] 斜め堆積法を適用した反応性スパッタリング法によるInAlN膜の作製

〇中山 佳之¹、細谷 昌史¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大、2.関東学院)

キーワード：エレクトロクロミック、バンドギャップ制御、光学特性