[10a-W323-1~9] 6.4 Thin films and New materials

[10a-W323-8] Fabrication of ambipolar transistors using copper nitride thin film channel layers

〇Kosuke Matsuzaki¹, Takayoshi Katase², Hideo Hosono^1,2 (1.Tokyo Tech MCES, 2.Tokyo Tech MSL)

Keywords:copper nitride, ambipolar transistor

我々は、伝導帯・価電子帯ともに分散の大きい窒化銅（Cu₃N）に着目し、NH₃/O₂ガスを用いた新しい直接窒化法を適用することで、高正孔・電子移動度のCu₃N薄膜を実現してきた[1]。本研究では、本合成法により作製したCu₃N薄膜をチャネルに用いることで、アンバイポーラ型TFTとCMOSインバーター動作に成功したので報告する。
[1] K. Matsuzaki et al., Adv. Mater. 30, 1801968 (2018)