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一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[10a-W631-1~12] 3.7 レーザープロセシング

2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:15 W631 (W631)

西哲平(豊田中研)、溝尻瑞枝(長岡技科大)

11:45 〜 12:00

[10a-W631-11] パルスレーザーメルティング法(PLM)によって硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶のpn接合特性

〇川本兼司¹、早瀬弘基¹、青木珠緒¹、梅津郁朗¹ (1.甲南大)

キーワード：パルスレーザーメルティング、太陽電池、過飽和ドープ