[10a-W641-1~10] 6.3 Oxide electronics

[10a-W641-1] Flattening of high-pressure-phase α-PbO₂-type TiO₂ epitaxial thin films

〇(M2)Yuki Sasahara¹, Koki Kanatani¹, Masayuki Matsuhisa¹, Hiroaki Asoma¹, Kazunori Nishio¹, Ryota Shimizu^1,2, Norimasa Nishiyama³, Taro Hitosugi¹ (1.Tokyo Tech, 2.JST-PRESTO, 3.MSL)

Keywords:high pressure, flattening, epitaxial growth

超高圧下でのみ存在可能な物質を大気圧下に取り出すべく、エピタキシャル安定化に着目し、薄膜試料に対して超高圧印加する試みを始めた。その結果、ルチル薄膜への超高圧処理により、高圧相α-PbO₂型TiO₂の単相エピタキシャル薄膜作製を実現できたが、処理後の薄膜は基板上で凝集していた。そこで本研究では、薄膜が凝集した原因が高温印加であることを見出し、低温処理により高圧相薄膜の平坦化を試みたので報告する。