[10a-W641-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10a-W641-3] HfO₂を用いたチャージトラップメモリのアナログ特性に対するPDA条件依存性

〇吉仲 泰萌¹、榎本 翔汰¹、畑本 正浩¹、奈良 安雄¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：機械学習、アナログメモリ、チャージトラップメモリ

機械学習コンピュータをニューロンモデルに基づき実現するためには，連続値を保持するアナログメモリが必要である．そこで，本研究ではHfO₂をチャージトラップ層に用いたチャージトラップメモリに注目し，フラットバンド電圧のアナログ的な変化に関してPDA温度依存性を調べた．その結果，PDA温度によりフラットバンド電圧の変化の様子が大きく異なることがわかった．