[10a-W641-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10a-W641-5] 六方晶窒化ホウ素上VO₂の金属絶縁体相転移に伴う抵抗変化の素子サイズ依存性

〇玄地 真悟¹、山本 真人¹、神吉 輝夫¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、田中 秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

キーワード：金属-絶縁体相転移、二酸化バナジウム、六方晶窒化ホウ素

我々は，六方晶窒化ホウ素(hBN)上VO₂薄膜における抵抗変化の素子サイズ依存性を測定した。本研究では2種類の大きさが異なるhBN上のVO₂細線を作製した。その結果どちらも抵抗の"飛び"を観測したが，よりサイズの小さい細線で相対的に大きな抵抗の飛びを観測した。これは，数100nmオーダーのサイズであれば急峻な抵抗変化が実現可能と期待させるものである。