[10a-W810-1~10] 12.2 Characterization and Materials Physics

[10a-W810-1] Surface Morphology of Pentacene Film on Si substrate Characterized by In-Situ Grazing-Incidence Small Angle X-ray Scattering (III)

〇Ichiro Hirosawa¹, Takeshi Watanabe¹, Tomoyuki Koganezawa¹, Mamoru Kikuchi², Noriyuki Yoshimoto² (1.JASRI, 2.Iwate Univ.)

Keywords:organic semiconductor, X-ray scattering, surface morphology

製膜中のペンタセン薄膜の表面形態の微小角入射X線小角散乱による評価を試みた。測定された散乱パターンには、散乱ベクトル面内成分が0に近い領域に膜表面の3次元的形状（突起）に由来した信号、0.015 nm^-1付近の領域には突起側面を形成するテラス辺縁の凸凹に由来した信号を見出すことができた。更に、それぞれの信号に膜厚を反映した周期的な信号強度の変化が面法線方向に観測された。以上の結果は、GISAXSによって薄膜成長中の膜厚、表面形態の定量的評価が可能であることを示している。