The 66th JSAP Spring Meeting, 2019

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[10a-W833-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

Sun. Mar 10, 2019 9:00 AM - 11:30 AM W833 (W833)

Tsuyoshi Honma(Nagaoka Univ. of Tech.)

10:45 AM - 11:00 AM

[10a-W833-7] Stimulated emission in Ge-doped silica glass resulting from singlet-to-triplet excitation

Takuya Tsujimura1, 〇Takashi Uchino1 (1.Kobe Univ)

Keywords:silica glass, luminescence, stimulated emission

Ge 含有シリカガラス中に存在する2配位Ge中心は,一重項励起とそれに伴う項間交差過程を経て,3.1 eV付近に青色の三重項-一重項発光を示す。近年,我々は,この項間交差過程が,熱活性を伴わない過程と,熱活性を伴う過程の複数の過程により支配されていることを,発光強度の温度依存性を速度論的に解析することにより示した。しかし,2配位Ge中心の三重項状態を直接励起してその発光過程を解析した例は少ない。本研究では,三重項直接励起により,液体窒素温度から500 Kにわたる幅広い温度域で,振電準位間遷移に由来すると思われる誘導放出を観測したので,その結果について報告する。