[10p-PB4-1~23] 3.13 Semiconductor optical devices

[10p-PB4-13] Optical constant measurement of the porous silicon using imaging ellipsometry

〇Taiki Akiyama¹, Yuki Iizuka¹, Lianhua Jin¹, Eiichi Kondoh¹, Bernard Gelloz² (1.Yamanashi Univ, 2.Nagoya Univ)

Keywords:porous silicon, imaging ellipsometry, optical constant

ポーラスシリコン(PS)はフォトルミネッセンスやエレクトロルミネッセンスを持つため発光素子として期待されている．ここでは，イメージングエリプソメトリーを用いてPSナノ構造の光学定数の測定を試みたので，その結果について報告する．