[10p-PB5-1~55] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[10p-PB5-48] FET application of vapor-phase deposited monolayer MoS₂ and WS₂ using alkali salts as assist reagents.

〇Reita Igarashi¹, Hajime Shirai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, chemical vapor deposition, field effect transistor

MoS₂やWS₂等の遷移金属ダイカルコゲナイドは、アルカリ塩をアシスト剤として化学気相成長(CVD)法や物理気相成長(PVD)法により大面積薄膜が得られることがわかっている。本研究では、アルカリ塩をアシスト剤として成長させた薄膜を用いて電界効果トランジスタ(FET)を作製し、性能の評価を行った。また、アシスト剤の違いによるFET特性への影響を調査した。