[10p-S222-1~15] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [10p-S222-5] 窒素添加LaB₆界面制御層によるしきい値電圧制御型ペンタセンPseudo-CMOSの低電圧動作

〇(D)前田 康貴¹、朴 鏡恩¹、小松 勇貴¹、大見 俊一郎¹ (1.東工大工学院)

キーワード：ペンタセン、窒素添加LaB6、界面制御層

前回、我々は窒素添加LaB₆界面制御層によるしきい値電圧(V_TH)制御を用いたペンタセンPseudo-CMOSについて報告した。今回、デバイスサイズを縮小し、Pseudo-CMOSの動作特性の向上に関する検討を行った。駆動OFETと負荷OFETのデバイスサイズがそれぞれL_D/W_D = 55 um/1500 umとL_L/W_L = 55 um/100 um、V_THがそれぞれ-2.6 Vと2.1 VのペンタセンPseudo-CMOSを作製した。その結果、動作電圧-5 Vでロジックスイング4.3 Vのインバータ特性が得られた。