[10p-W241-1~8] 金属酸化物による新技術の開拓Ⅰ～薄膜形成からデバイス創出に至るまで～

[10p-W241-2] ヘテロ接合チャネルによるIn–Ga–Zn–O薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化

〇古田 守^1,2、是友 大地¹、アマン メハディ¹、曲 勇作¹ (1.高知工大、2.高知工大　総研)

キーワード：薄膜トランジスタ、In–Ga–Zn–O、Heterojunction channel

酸化物半導体IGZO TFTは、非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電子移動度、優れた大面積均一性と信頼性、極低リーク電流といった特徴から次世代ディスプレイの駆動素子として注目されている。代表的な組成であるIGZO-111 (In:Ga:Zn=1:1:1 atom%) TFTの電界効果移動度は、非晶質Si TFTの10倍以上ではあるが、多結晶Si TFTの1/10以下である。このため酸化物半導体TFTの更なる高移動度化が検討されている。
今回我々は組成の異なる二種類のIGZOを積層したtype-IIヘテロ接合チャネルを有するTFTを作製し、そのキャリア輸送特性を実験およびデバイスシミュレーションの両面から考察した。講演ではIGZOヘテロ接合チャネルTFTのキャリア伝導とバイアスストレス信頼性の支配要因に関して議論する。