[10p-W241-1~8] 金属酸化物による新技術の開拓Ⅰ～薄膜形成からデバイス創出に至るまで～

[10p-W241-4] 反応性プラズマ蒸着法による Ga 添加 ZnO 薄膜における成長速度とキャリア密度の支配因子

〇山本 哲也¹、古林 寛¹、牧野 久雄¹ (1.高知工科大総研)

キーワード：酸化亜鉛、キャリア密度、薄膜成長速度

われわれは透明導電膜, 可燃性ガスセンサ, 近赤外領域波長通信用プラズモニクス材料, 及び抗菌性薄膜などの応用を目的とし, Ga 添加 ZnO 薄膜の電気・光学・表面特性の成膜装置や成膜プロセス依存性・制御性を把握すべく研究開発に取り組んでいる. 今回は低温・高速・大面積成膜が可能な直流アーク放電反応性プラズマ蒸着法 (以下, RPD と呼称)を用いた場合に観察される薄膜成長速度及びキャリア密度の酸素ガス流量 (薄膜成長中) 依存性を支配する因子(アークプラズマ中での飛来粒子種) の解明を目標としたその研究成果について発表する.