[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 高反射率・導電性AlInN/GaN DBRを用いたEu添加GaN発光ダイオードの発光強度の増大

〇塩見 圭史¹、稲葉 智宏¹、市川 修平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：窒化物、希土類、分布ブラッグ反射鏡

我々はEu添加GaN(GaN:Eu)を活性層にしたGaN系赤色LEDの作製に成功しており、これまでに分布ブラッグ反射鏡(DBR)でGaN:Euを挟んだ微小共振器構造を適用することにより電流注入下でのさらなる赤色発光強度の増大を実現した。本研究では、DBRが反射鏡として動作する条件を満たしながら設計の最適化を行うことで、赤色領域において98 %を超える高反射率・導電性DBRの作製に成功し、これを適用したGaN:Eu LEDにおいて大幅な発光強度の増大を得た。