[10p-W541-1~20] 15.4 III-V-group nitride crystals

[10p-W541-19] Development of GaN Crystal Growth Simulation Method Including Chemical Reaction

〇Soma Sakakibara¹, Kento Kawakami², Subaru Komura², Masaaki Araidai⁴, Akira Kusaba³, Naoya Okamoto², Katunori Yoshimatu⁴, Yoshihiro Kangawa³, Koichi Kakimoto³, Kenji Shiraishi⁴ (1.Department of Eng., Nagoya Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 3.RIAM, Kyushu Univ., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:gallium nitride, Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy, chemical reaction

次世代パワー半導体としてワイドギャップ半導体であるGaNが注目を集めている。しかし、GaN結晶の製造には炭素の取り込みなどの問題がある。その問題については化学種がどのように分布しているのかを知り、適切な結晶成長条件を満たすよう、結晶装置内の流れを制御することが必要である。それゆえ、本研究は原料ガスの分解反応プロセスを流体のシミュレーションに組み込み、化学種の分布状態を調べることを目指して研究を行う。