[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-3] 組成傾斜p-AlGaNを用いた紫外発光素子への高電流注入

〇(D)佐藤 恒輔^1,2、安江 信次²、荻野 雄矢²、岩谷 素顕²、竹内 哲也²、上山 智²、赤﨑 勇^2,3 (1.旭化成、2.名城大、3.名古屋大)

キーワード：窒化物、紫外、レーザ

UVB領域の紫外レーザダイオード実現に向けて、20 kA/cm²の電流密度に相当する電流を流し、その発光特性を評価した結果を報告する。p型半導体に平均Al組成55%の組成傾斜p-AlGaNを用いることで、光閉じ込めとキャリア注入を両立する構造を設計した。素子端面に共振器を形成し、電流注入によるレーザ発振を検討した結果も報告する。