[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-6] 周期的スロット構造を用いたInGaN単一モードレーザの作製プロセスの検討

〇(M1)田附 大貴¹、楠本 壮¹、樋口 晃大¹、田島 純平²、彦坂 年輝²、布上 真也²、上向井 正裕¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.東芝開発研究センター)

キーワード：レーザ、窒化物半導体、スロット構造

400 nm帯で良好な単一モードレーザは作製が困難であることからその報告例は少ない。我々は高分解能EBリソグラフィや結晶再成長を必要としないスロットと呼ばれる幅0.5~1.0 µm程度の溝構造を周期的に形成したレーザで800 nm帯で単一モード発振に成功しており、このスロット構造は400 nm帯にも適用することが出来る。本研究では400 nm帯InGaN周期的スロット構造単一モードレーザの設計および作製プロセスの検討を行った。