[10p-W541-1~20] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10p-W541-9] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNストリップ導波路型方向性結合器の作製

〇三輪 純也¹、紀平 将史¹、上向井 正裕¹、彦坂 年輝²、布上 真也²、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.（株）東芝 研究開発センター)

キーワード：方向性結合器、窒化ガリウム、光導波路

2つの方向性結合器（DC）と位相シフタで構成される光導波路型マッハツェンダ干渉計（MZI）は光通信や量子情報処理の分野で高い応用性を持つ。GaNなどの窒化物半導体は同種の材料で青紫色半導体レーザを実現できるうえ、高い光学非線形性を有することから、本研究室ではこれを利用した波長800 nm帯の量子光源などの非線形光学デバイスの開発を進めている。本発表ではGaN ストリップ導波路型DCの作製について報告する。