[10p-W611-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[10p-W611-2] Effect of a SiO₂ film on the long-duration potential-induced degradation of n-type front-emitter c-Si photovoltaic modules

〇Tomoyasu Suzuki¹, Seira Yamaguchi¹, Kyotaro Nakamura^2,3, Atsushi Masuda⁴, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Toyota Tech. Inst, 3.Meiji Univ., 4.AIST)

Keywords:potential-induced degradation, n-type front-emitter c-Si photovoltaic, oxcide film

n型フロントエミッター型(n-FE)結晶Si PVモジュールに関し、セル中のSiO₂膜がPIDにおよぼす影響を調査した。SiO₂膜がないセルを用いたモジュールでは、正電荷蓄積が原因の初期劣化が無い一方、Na侵入に由来する劣化が加速、増大した。したがって、n-FEセルのSiO₂膜は、窒化Siに蓄積する正電荷の放出を妨げるため初期の劣化を引き起こす一方、Na侵入による劣化を遅延すると考えられる。