[10p-W641-1~17] 6.3 Oxide electronics

[10p-W641-5] Competitive Resistive Change Observed Depending on Oxygen Distribution in Analog Resistance Change Device Using TaO_x Thin Film

〇Hisashi SHIMA¹, Makoto TAKAHASHI¹, Yasuhisa NAITOH¹, Hiroyuki AKINAGA¹ (1.NeRI AIST)

Keywords:Analog resistive change, Oxide

アナログ的な抵抗変化を呈する素子の抵抗値は、パターンの分類を行うニューラルネットワークの重みとして活用できる[1]。我々は以前に、TaO_x薄膜を用いた抵抗変化素子の電極材料を貴金属材料であるPtからTiNへ変更することで、アナログ抵抗変化動作が安定化することを報告した[2]。今回、素子を構成するTaO_x薄膜内の酸素分布に依存して観測される競合的な抵抗変化について報告する。
[1]H. Shima et al., IEEE JEDS 6, 1225 (2018). [2]島 他、第65回応用物理学会春季学術講演会.