[10p-W641-1~17] 6.3 Oxide electronics

[10p-W641-6] Formation process of oxygen vacancy filament in silicon nanocrystal thin film

〇Takeshi Kawauchi¹, Shinya Kano¹, Minoru Fujii¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:colloidal silicon nanocrystal, solution process, oxygen vacancy

抵抗変化メモリの中でシリコンベースのものが報告されている。シリコンナノ結晶コロイドを塗布することで作製した薄膜は抵抗変化現象を発現する。この薄膜に定電圧を印加し抵抗値が変化するまでの時間を測定することで、酸素イオンの移動距離と活性化エネルギーを求め、酸素空孔フィラメントの形成過程を考察した。電圧パルスにより酸素空孔フィラメントを段階的に形成し、薄膜の抵抗を徐々に変化させた結果を報告する。