[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-6] シリコンナノ結晶塗布薄膜における酸素空孔フィラメントの形成過程

〇河内 剛史¹、加納 伸也¹、藤井 稔¹ (1.神戸大院工)

キーワード：シリコンナノ結晶コロイド、塗布プロセス、酸素空孔

抵抗変化メモリの中でシリコンベースのものが報告されている。シリコンナノ結晶コロイドを塗布することで作製した薄膜は抵抗変化現象を発現する。この薄膜に定電圧を印加し抵抗値が変化するまでの時間を測定することで、酸素イオンの移動距離と活性化エネルギーを求め、酸素空孔フィラメントの形成過程を考察した。電圧パルスにより酸素空孔フィラメントを段階的に形成し、薄膜の抵抗を徐々に変化させた結果を報告する。