[10p-W833-1~17] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[10p-W833-14] Fabrication of 2-Terminal Memory Test Element with 100 nm Diameter or Smaller

〇Ryo Fukuoka¹, Hiroki Tokuhira¹, Katsuyoshi Komatsu¹, Koji Matsuo¹, Hide Tanaka¹, Gaku Sudo¹, Kazuya Ohuchi¹ (1.Toshiba Memory Corporation)

Keywords:2-Terminal Memory Element

二端子抵抗型メモリの更なる大容量化を短期間に実現するため、様々な新規メモリ材料における10 nmスケールまでの開発を、短い工期で試作可能なTEG (Test Element Group)を用意して行う必要がある。そこで、10 nmオーダーの評価が可能なmushroom-TEGを作製した。また、スイッチング電圧にばらつきを生じさせる要因として、下部電極と層間膜の境界の段差箇所における電界集中の影響があることを断面TEM像およびシミュレーションから明らかにした。