[10p-W833-1~17] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

△ [10p-W833-8] Low-temperature yttrium oxide atomic layer deposition

〇Kentaro Saito¹, Kensaku Kanomata², Masanori Miura², BashirAhmmad Arima¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, yttria, high dielectric constant material

イットリア(Y₂O₃)は高誘電率材料であるため、MOSFETのゲート絶縁膜への応用が期待されている。従来のY2O3薄膜の製膜手法は200 ℃以上の高温を必要とするため、高温で変性する有機基板上での成膜は困難であり、Y₂O₃薄膜をフレキシブルデバイスに応用することは困難である。我々はtris(butylcyclopentadiyl)yttriumを原料ガスに、プラズマ励起加湿アルゴンを酸化ガスに用いた低温Y₂O₃ALDを開発した。基板の加熱温度は80 ℃程度であるためフレキシブル基板へのY₂O₃薄膜の形成も可能になる。