[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-1] イオン注入技術 –温故知新-

〇江龍 修¹ (1.名工大)

キーワード：イオン注入、デバイスプロセス

「1980年代当時」に頭を悩ませた印象的な課題に焦点を当てて、ブラックボックス化したイオン注入という素晴らしいツールの、将来に現れるであろう電子デバイス形成の一助として頂くことを目的とする。